850 nm Hochleistungs-Infrarot-Emissionsdiode

Die 850-nm-Hochleistungs-Infrarotdiode liefert eine erhöhte Infrarot-Strahlungsleistung für Anwendungen, die ein stärkeres Infrarotsignal erfordern. EE852M2 unterstützt neben dem standardmäßigen 20-mA-Betrieb einen maximalen Vorwärtsantriebsstrom von 100 mA und erzeugt so eine höhere Infrarotstrahlungsintensität bei gleichzeitig großem Abstrahlwinkel von ±60 Grad. Diese Hochleistungs-Infrarotdiode wurde für Szenarien entwickelt, in denen die Übertragungsentfernung oder Signalstärke im Vergleich zu Infrarotstrahlern mit Standardleistung verbessert werden muss.

Hochleistungs-Infrarotdioden stellen hohe Anforderungen an die Chipabschirmung und die wärmebedingte Verkapselungsqualität. Unsere firmeninternen professionellen Forschungs- und Entwicklungskapazitäten helfen dabei, die optisch-elektrische Leistung für Hochleistungsvarianten zu stabilisieren, wenn Standardkomponenten die Projektanforderungen nicht erfüllen können.

Wir unterstützen die kundenspezifische Entwicklung von Hochleistungs-Infrarot-Emissionsdioden. Sie können uns Zeichnungen oder Prototypen zur Verfügung stellen, um die Machbarkeit zu bewerten. OEM- und ODM-Dienste sind verfügbar. Vor der Massenproduktion wird Musterunterstützung angeboten.

Jede Einheit ist in einer antistatischen Tasche verpackt und in einer stoßfesten Schaumstoffbox untergebracht. Alle Kartons werden in verstärkten Wellpappenkartons mit Polstermaterialien verpackt und in wasserdichte Stretchfolie mit den Warnhinweisen „Antistatisch“ und „Zerbrechlich“ eingewickelt. Handelsbedingungen EXW, FOB, DDP sind verfügbar.

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